本設備用于ALN、SiC單晶生長 。
設備特點:
采用PVD法生長單晶。帶坩堝升降機構,多路測溫。
技術指標:
1、 工作腔φ650×500 mm
2、 最高工作溫度~2400℃
3、 極限真空度<8× 10-5Pa
4、 加熱功率~120KW